В электромагнитных приборах с некоторыми общими погрешностями,
характерными для большинства электромеханических приборов (погрешности отсчета,
от трения в опорах, от опрокидывания, от упругого последствия пружинок или
растяжек и т. д.), имеют место специфические погрешности.
Погрешность от гистерезиса материала сердечников и
экранов γН появляется при работе прибора на постоянном токе,
когда есть разница в показаниях прибора при возрастании и убывании тока. Эта
погрешность уменьшается при выборе материала сердечника с малой коэрцитивной
силой. Погрешность γН можно определять по формуле
, (3.16)
где
НС - коэрцитивная сила; HК - напряженность магнитного поля рабочей катушки в месте
расположения сердечников.
Погрешность переносных вольтметров от собственного
нагрева рабочей катушки проходящим по ней током можно подсчитать по формуле
, (3.17)
где
αЦ -температурный коэффициент сопротивления цепи катушки;
θР - температура перегрева растяжек (пружин); αW – термоупругий коэффициент материала пружинок.
Температурная погрешность обусловлена изменением температуры окружающей среды и характерна для вольтметров, и определяется изменением сопротивления цепи катушки и упругости пружин (или растяжек).
Для электромагнитных вольтметров погрешность, вызванная
изменением окружающей температуры, определяется величинами температурных
коэффициентов сопротивления цепи катушки (αЦ ) и упругости
материала растяжек или пружин (αW):
.
(3.18)
Для
амперметров температурная погрешность определяется значением αW
. (3.19)
Для
компенсации температурной погрешности
используются различные компенсационные схемы. Пример температурной
компенсации с терморезистором представлен на рис. 3.11. Применение
терморезисторов для компенсации температурной погрешности вольтметров позволяет
значительно снизить потребляемую ими
мощность и улучшить метрологические характеристики.
Рис. 3.11.
В
этом погрешность, вызванная изменением внешней температуры, определяется по формуле
, (3.20)
где
где RB = RK +RД + RTK -
общее сопротивление вольтметра;
RTK = Rt RШ / (Rt + RШ ) -
сопротивление термокомпенсатора, состоящего из терморезистора Rt и манганинового шунта RШ; αTK =
αt RШ /(Rt + RШ) - температурный коэффициент сопротивления термокомпенсатора;
(αе - температурный коэффициент сопротивления терморезистора).
Частотная погрешность
обусловлена влиянием вихревых токов, изменением индуктивного сопротивления
рабочей катушки и наличием межвитковой емкости этой катушки.
Уменьшение частотных погрешностей амперметров и
вольтметров может быть достигнуто включением ИМ в схему частотной компенсации.
Например, схема с шунтированием
рабочей катушки емкостью
С и активным резистором R (рис. 3.12,а) позволяет расширить частотный диапазон
амперметров в шесть-семь раз.
а)
б)
Рис. 3.12
В вольтметрах основной причиной частотной погрешности
является изменение индуктивного сопротивления рабочей катушки. Для снижения
частотной погрешности, обусловленной изменением индуктивного сопротивления
рабочей катушки вольтметра, может быть использована схема с шунтированием части
добавочного сопротивления емкостью (рис. 3.12,б). Следует заметить, что, так
как индуктивность L изменяется по длине шкалы,
полную компенсацию частотной погрешности вольтметра по рассматриваемой схеме
можно осуществить только в одной точке частотного диапазона и для определенной
точки шкалы,. Обычно компенсация производится на отметке шкалы, равной приблизительно
80% номинального значения измеряемой величины.
Погрешность электромагнитного прибора под влиянием
внешнего магнитного поля при самом неблагоприятном направлении поля и
отсутствии магнитного экранирования определяют по формуле
,
(3.21)
где
НС = 400 А/м – напряженность
внешнего поля при
испытании прибора; НК
– напряженность поля внутри рабочей
катушки при номинальном токе в обмотке.
Применение магнитного экранирования измерительного
механизма снижает γН, так как при этом внешнее магнитное поле
уменьшается экраном.
Погрешность, вызванная отклонением формы кривой тока
или напряжения от синусоидальной, оказывается существенным только при больших
значениях магнитной индукции в сердечниках, близких к насыщению.